电的找到是人类历史的革命，由它产生的动能每天都在源源不断的获释，人对电的市场需求远不如人类世界的氧气，如果没电，人类的文明还不会在黑暗中探寻。 然而在电力电子里面，最重要的一个元件就是IGBT。
没IGBT就会有高铁的便利生活。 一想起IGBT，半导体生产的人都以为不就是一个分立器件(PowerDisceret)嘛，都很瞧不上眼。然而他和28nm/16nm集成电路生产一样，是国家02专项的重点扶植项目，这玩意是现在目前功率电子器件里技术最先进设备的产品，早已全面代替了传统的PowermosFET，其应用于十分普遍，小到家电、大到飞机、舰船、交通、电网等战略性产业，被称作电力电子行业里的CPU，长期以来，该产品(还包括芯片)还是被独占在少数IDM手上(FairChild、Infineon、TOSHIBA)，位列十二五期间国家16个根本性技术突破专项中的第二位(全称02专项)。
到底IGBT是何方神圣?让我们一起来自学它的理论吧。 1、何为IGBT? IGBT全称作绝缘栅双极型晶体管(InsulatedGateBipolarTransistor)，所以它是一个有MOSGate的BJT晶体管。
怪异吧，它究竟是MOSFET还是BJT?只不过都不是又都是。不绕圈子了，他就是MOSFET和BJT的组合体。 我在前面谈MOSFET和BJT的时候提及过他们的优缺点，MOSFET主要是单一载流子(多子)导电，而BJT是两种载流子导电，所以BJT的驱动电流不会比MOSFET大，但是MOSFET的掌控级栅极是靠场效应反型来掌控的，没额外的掌控末端功率损耗。所以IGBT就是利用了MOSFET和BJT的优点人组一起的，兼具MOSFET的栅极电压掌控晶体管(低输入阻抗)，又利用了BJT的双载流子超过大电流(较低导通压降)的目的 (Voltage-ControlledBipolarDevice)。
从而超过驱动功率小、饱和状态力减少的极致拒绝，普遍应用于600V以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、灯光电路、机车传动等领域。 2、传统的功率MOSFET 为了等一下便于解读IGBT，我还是再行谈下PowerMOSFET的结构。所谓功率MOS就是要忍受大功率，换言之也就是低电压、大电流。
我们融合一般的高压MOSFET来介绍如何转变结构构建高压、大电流。
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